SAMSUNG с 30nm чипове за DDR3 памет!

Rate this post

На 31.01.2010 година SAMSUNG обявиха готовността си да започнат производство на DDR3 чипове по новата технология. Така производителят става първият, който може да предложи на пазара по-евтини и с по-малко енергопотребление чипове.
Внедряването на 30nm технология в производството на DDR ще изведе SAMSUNG пред конкурентите им. Масово технологията се очаква да се внедри през втората половина на годината, като плановете са до края на 2010 г.  цялото производство вече да е по тази технология.
Трябва все пак да знаем, че това не е най-доброто технологично постижение. Компанията IM Flash Technologies /съвместна фирма на Intel и Micron Technology/, има 25nm технология за чипове, но те я използват за момента едиствено в производството на NAND Flash.
Предимства на 30nm технология:
–    60% по-ниски разходи за производство в сравнение с 40nm технология;
–    По-малък размер на чиповете;
–    По ниска консумация на енергия, което открива нови възможности при използването им в мобилни компютри и smart устройства.
Въпреки, че новото производство ще е значително по-евтино, от SAMSUNG очакват, за съжаление, това да повлияе цената на паметта в не толкова краткосрочен план.

Източник: IDG News Service

Вашият коментар

Вашият имейл адрес няма да бъде публикуван. Задължителните полета са отбелязани с *